气相沉积系统 -大发棋牌
（共18件相关产品信息）- 产品分类：
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- ￥4980000
- 德国iplas iplas 微波等离子化学气相沉积系统 欧洲 德国
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- 德国iplas mpcvd cyrannus® 专 利技术微波等离子化学气相沉积系统，广泛应用于第四代半导体，射频器件，散热器件，光学窗口等高科技令域。晶圆生长金刚石膜，是第四代半导体材料。
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- 美国nano-master npe-4000,nrp-4000,nsp-4000 美洲 美国
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- nano-master的等离子增强化学气相沉积系统pecvd系统npe-4000,可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。基板可以容纳8英寸晶圆，可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压，可通过热电阻或者红外灯加热到800°c。
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- 法国plassys ssdr 150 欧洲 法国
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- 法国plassys微波等离子体化学气相沉积系统 ssdr 150 ,专门用于合成 cvd 金刚石薄膜，能够制备高纯单晶(需高纯气源）、厚单晶、大单晶、多晶薄膜、光学级窗口。ssdr150 不断优化的微波及等离子体设计，是一款可靠的、稳定的、长时间运行的金刚石薄膜生长系统，能够wan美地适用于高校科研和企业生产。
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- 美国pvd 4000 美洲 美国
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- 该系统由全球专业的沉积设备商制造,配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研.
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- 美国pvd g 4000 美洲 美国
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- pecvd：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种cvd称为等离子体增强化学气相沉积(pecvd).
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- iplas iplas cyrannus 欧洲 德国
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- 1. cyrannus®技术无需在样品腔内安装内部电极，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。 2. cyrannus®技术的腔外多电极设置，确保等离子团稳定生成于腔内zx位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由cyrannus®系统合成的金刚石，纯度均在vvs级别以上。
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- €65000
- iplas cyrannus 欧洲 德国
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- ￥3500000
- 美国yes yes-ecocoat 美洲 美国
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- 具有原位等离子体的硅烷单层气相沉积系统
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- 河南诺巴迪 nbd-t1700-80tig2z 河南 郑州
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- 美国nano-master npe-3500pecvd 美洲 美国
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- npe-3500 pecvd等离子体化学气相沉积系统概述：nano-master pecvd系统能够沉积高质量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到zd可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过rf或脉冲dc产生偏压。
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- 美国那诺-马斯特 npe-4000（icpa） 美洲 美国
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- nm的pecvd能够沉积高质量sio2, si3n4, dlc膜到z大可达6" 基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过rf或脉冲dc产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个mfc。
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- 美国那诺-马斯特 pecvd 美洲 美国
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- nm的微波pecvd能够沉积高质量sio2, si3n4, 或dlc膜到z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过rf或脉冲dc产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个mfc。
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- 美国那诺-马斯特 npe-3500 美洲 美国
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- nano-master pecvd系统能够沉积高质量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜z大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过rf或脉冲dc产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个mfc.带有*气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖z广的可能性来获得各种沉积参数。
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- 美国那诺-马斯特 npe-4000（icpm） 美洲 美国
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- nm的pecvd能够沉积高质量sio2, si3n4, 或dlc膜到z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过rf或脉冲dc产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个mfc。
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- ￥88888
- 上海微行炉业 pecvd型等离子增强化学气相沉积系统 江苏 苏州
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- 价格有优势，而且服务效率，质量上面好而且有保证。
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- 河南诺巴迪 nbd-pecvd1200-80tid2zy 河南 郑州
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- 该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底温控，控制真空系统，采用集中现场控制总线技术的nobody控制软件，以及友好用户操作界面来操作。适用于室温至1200℃条件下进行的sio2、sinx,、 sionx a-si薄膜的沉积，同时可实现teos源沉积，sic膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
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- 韩国ecopia rtcvd 亚洲 韩国
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- 韩国ecopia lc-100, lc-102 亚洲 韩国
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价格有优势，而且服务效率，质量上面好而且有保证。
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nano-master pecvd系统能够沉积高质量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜z大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过rf或脉冲dc产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个mfc.带有*气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖z广的可能性来获得各种沉积参数。
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nm的pecvd能够沉积高质量sio2, si3n4, 或dlc膜到z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过rf或脉冲dc产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个mfc。
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nm的微波pecvd能够沉积高质量sio2, si3n4, 或dlc膜到z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过rf或脉冲dc产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个mfc。
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该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底温控，控制真空系统，采用集中现场控制总线技术的nobody控制软件，以及友好用户操作界面来操作。适用于室温至1200℃条件下进行的sio2、sinx,、 sionx a-si薄膜的沉积，同时可实现teos源沉积，sic膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
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该系统由全球专业的沉积设备商制造,配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研.
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